RE: CV-Programmierung trotz Pufferspeicher

#1 von Lok2000DB ( gelöscht ) , 29.01.2016 20:27

Hallo,

ich habe meine ESU-Decoder mit Elko-Pufferspeicher inkl. Ladeschaltung (Wider-stand und Diode) ausgestattet.

Leider ist dann das Programmieren und Auslesen der CV-Wert nicht mehr möglich.
Der Elko muss dafür entfernt werden.

Eine mechanische Variante (Schalter, Reedkontakt o.ä.) möchte ich dafür nicht verwenden.

Folgende Anschlüsse stehen am ESU-Decoder zur Verfügung:

1) +
2) Masse
3) Charge - Anschluss

Den Charge-Anschluss habe ich nach gemessen. Er verhält sich wie ein invertierter AUX-Ausgang. Grundsätzlich ist er auf Masse durchgeschalten. Beim Programmieren wird dieser Ausgang gesperrt.

Wer hat eine Idee für eine entsprechende elektronische Schaltung (z.B. mit Transistor oder MOSFET) ?

Gruß
David


Lok2000DB

RE: CV-Programmierung trotz Pufferspeicher

#2 von hampton , 30.01.2016 02:06

Hallo,

nimm irgendeinen Logic - Level N-MOSFET mit ausreichender Stromtragfähigkeit (2A plus). Transistoren gehen grundsätzlich auch, sollten aber auch ausreichend Strom vertagen und benötigen einen R an der Basis, dafür ist kein Pull - Down erforderlich.

Gate an Charge vom ESU
Source an Gnd vom Esu
Drain an Gnd des Elkos bzw. an die Diode und den Ladewiderstand
10k Widerstand zwischen Gate und GND

Die 10k sind im Betrieb eigentlich nicht erforderlich, da Charge offenbar an einer Push-Pull-Stufe hängt aber nach einem Reset der CPU kann Charge eventuell undefinierte Stati annehmen und dafür ist der Pull-down dann da.

Grüße
Florian


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RE: CV-Programmierung trotz Pufferspeicher

#3 von Lok2000DB ( gelöscht ) , 07.02.2016 19:52

Hallo,

vielen Dank für den Hinweis.

Ich habe die Schaltung mit einem IRF7103 auf einen Testboard (mit Kondensator und Kontroll-LED) aufgebaut.
Leider funktioniert die Schaltung nicht. Der Kondensator wird so nicht geladen.

Wer hat hierzu noch eine Idee ?

Gruß
David


Lok2000DB

RE: CV-Programmierung trotz Pufferspeicher

#4 von Lohengrin_Wien , 07.02.2016 22:20

Eine Drossel 30-100 µH in die Zuleitung zum Kondensator.

Aber eigentlich sollte der C direkt an „Charge“ doch funktionieren, weil dieser Anschluß ja beim Programmieren weggeschaltet wird, oder?

Mit der Drossel gehts jedenfalls direkt an Masse und +.
Zumindest bei Zimo-Dekodern. Wüßte nicht, warum es bei Esu anders sein sollte.

LG

Martin.


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RE: CV-Programmierung trotz Pufferspeicher

#5 von moppe , 07.02.2016 23:03

Zitat von Lok2000DB
Wer hat hierzu noch eine Idee ?



Der Strom fließt nur ein weg durch ihren FET.

Ich hab ein schaltplan gemacht, mit ein PNP darlington. Es könnte auch ein P-FET werden.

Durch D charge und R charge wurde der energierspeicher geladen.

Durch D discharge (und R charge) kann der energierspeicher entladen werden - aber nur wenn der PNP aktiv ist ("charge" ist auf masse).



Klaus


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RE: CV-Programmierung trotz Pufferspeicher

#6 von WolleH , 09.02.2016 00:49

Hi,
mit klassischer Ladeschaltung, Charge bleibt unberücksichtigt, und einem R mit 200 Ohm gehen Lesen und Schreiben von CVs und sogar Schreiben neuer Sounds.
Allerdings, ein Firmwareupdate funktioniert damit nicht, der Decoder erleidet einen Totalabsturz. Dazu muss der Kondensator also unbedingt abgeklemmt werden.
Gruß
Wolfgang


Gruß
Wolfgang


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RE: CV-Programmierung trotz Pufferspeicher

#7 von Lok2000DB ( gelöscht ) , 12.02.2016 20:05

Hallo Klaus,

vielen Dank für die Schaltung.

Ich habe als Darlington-Transistor ein B892 von Sanyo verwendet. Die Schaltung funktioniert sehr gut.

Wie hoch sollte der Basiswiderstandswert sein ?

Ich habe den Basiswiderstandswert mit ca. 500 Ohm berechnet (siehe http://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand).

Nun habe ich bei meiner Testschaltung auf dem Board aber festgestellt, dass die LED bei einem höheren Basiswiderstandswert deutlich länger leuchtet (z.B. 1 KOhm, 10 kOhm) ?

Wo liegt mein Denkfehler ?

Gruß
David


Lok2000DB

RE: CV-Programmierung trotz Pufferspeicher

#8 von moppe , 12.02.2016 22:06

Der basiswiderstand sollte als groß sein als möglich.

Ihren Transistor sind kein darlington, und damit sind der hfe Wert nicht so hoch und damit kann sie nicht ein groß Widerstand haben, und damit entleeren ihren Widerstand der Speicher.


Klaus


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